引用本文
陈鸣, 陈杰, 肖璟博. 一种应用于CMOS图像传感器的流水线模数转换器设计[J].吉林大学学报（工学版）, 2018,48(3): 968-976
CHEN Ming, CHEN Jie, XIAO Jing-bo. Design of pipeline analog digital converter used for CMOS image sensors[J]. Journal of Jilin University Engineering and Technology Edition, 2018,48(3): 968-976  
Doi:10.13229/j.cnki.jdxbgxb20170150
Permissions
Copyright©2018, 吉林大学学报编辑部
版权所有 吉林大学学报编辑部
一种应用于CMOS图像传感器的流水线模数转换器设计
陈鸣1,2, 陈杰1,2, 肖璟博1,2
1.中国科学院 微电子研究所,北京 100029
2.中国科学院大学 微电子学院,北京 100029
通讯作者：陈杰(1963-),男,研究员,博士生导师.研究方向:.E-mail:jchen@ime.ac.cn

作者简介:陈鸣(1985-),男,博士研究生.研究方向:低功耗模拟集成电路设计.E-mail:chenmingl@ime.ac.cn

基金:“973”国家重点基础研究发展项目(2015CB352103).
摘要

设计了一种应用于CMOS图像传感器中的低功耗流水线模数转换器(ADC),并采用逐次逼近寄存器(SAR)ADC辅助流水线架构,提出了一种新型全差分环形放大器。与传统的跨导运算放大器(OTA)相比,所提出的全差分环形放大器能效更高。本文采用0.18 μm 1P5M工艺完成电路设计及版图布局,当输入频率为19.94 MHz的正弦信号时,仿真显示ADC的信号噪声失真比(SNDR)为57.8 dB,无杂散动态范围(SFDR)为64.9 dB,最大微分非线性(DNL)为+0.58 LSB/-0.33 LSB,最大积分非线性 (INL)为+0.55 LSB/-0.57 LSB。整个ADC功耗为3.78 mW。

关键词: 半导体技术; CMOS图像传感器; 流水线模数转换器; 环形放大器; 逐次逼近寄存器
中图分类号:TN43 文献标志码:A 文章编号:1671-5497(2018)03-0968-09
Design of pipeline analog digital converter used for CMOS image sensors
CHEN Ming1,2, CHEN Jie1,2, XIAO Jing-bo1,2
1.Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China
2.School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China
Abstract

This paper presents a low power pipeline Analog-to-Digital Converter (ADC) used in CMOS image sensor. We propose a new fully differential ring amplifier, and employ a SAR ADC to assist the pipeline architecture. Comparing with conventional Operational Transconductance Amplifier (OTA), the proposed amplifier has higher energy-efficiency. This design is implemented in 0.18 μm 1P5M 1.8 V/3.3 V process. The post-simulation results indicate that it can achieve a maximum differential nonlinearity of +0.58 LSB/-0.33 LSB, a maximum integral nonlinearity of +0.55 LSB/-0.57 LSB, Spurious-Free Dynamic Range (SFDR) of 64.9 dB and Signal-to-Noise and Distortion Ratio (SNDR) of 57.8 dB for a 19.94 MHz input at sampling rate. The total power dissipation of ADC core is 3.78 mW, the FoM of ADC is 148 fJ/conv-step.

Keyword: semiconductor technology; CMOS image sensor; pipeline ADC; ring amplifier; SAR
0 引 言

CMOS图像传感器(CIS)[1, 2]在消费类电子产品中的应用日益广泛, 对CIS的面积和功耗要求也越来越苛刻。流水线模数转换器(Pipeline ADC)能同时实现较高的速度和精度, 因此在CIS中使用较多。传统的流水线ADC[3]设计中, 余量增益电路(MDAC)是基于闭环负反馈的开关电容电路来实现的, 其中, 跨导运算放大器(OTA)占了模拟域功耗的主要部分。因此, OTA的设计对整个ADC至关重要。随着CMOS工艺的不断发展, 尤其当电源电压降低到1 V以下时, 传统OTA结构的性能已经不能满足低功耗的设计需求。

文献[4, 5, 6]提出了一系列改进方案取代传统OTA。其中Brooks等[4]提出的过零检测(Zero-crossing detecting)技术应用较多, 但这种结构对比较器的失调比较敏感, 其控制电路较为复杂, 难以实现高精度。Hershberg等[5]提出了一种全新的环形放大器(ing amplifier), 然而, 这种放大器对内部失调电压VOS比较敏感, VOS的变化可能导致环形放大器震荡。Lim等[6]精简了环形放大器的结构, 采用电阻自偏置VOS, 并使用高阈值器件, 大大提高了环形放大器的鲁棒性, 但这种结构的电源抑制特性较差, 且单端工作时, 系统的共模抑制能力以及偶次谐波失真都比全差分结构差。为克服以上问题, 本文提出了一种新型全差分环形放大器, 并对所提出的结构作了仿真, 然后设计了一种10 bit 40 MS/s流水线ADC, 验证了本文的可行性。

1 环形放大器的工作原理

简单的环形放大器结构如图1(a)所示, 其频率响应如图1(b)所示, 当Vin接近VCM时, MCP和MCN会进入亚阈值区, 其输出阻抗急剧增大而形成主极点, 同时主极点和次主极点之间频率间隔迅速增大, 使系统的相位裕度也变大, 从而系统趋于稳定。由于放大器的输出级工作在亚阈值区, 消耗电流极小, 且输出阻抗大, 这使放大器的开环增益能达到80 dB以上, 可满足10~12位的精度要求; 同时, 由于充放电速度快, 所以能满足高速应用。

图1 传统环形放大器和频率响应Fig.1 Conventional ring amplifier and frequency response

然而, 这种放大器的工作强烈依赖于内部失调电压VOS, 文献[5]中VOS工作在50~100 mV。VOS过小, 即VBP和VBN相差较小, MCP或MCN进入线性区, 输出阻抗变小, 主极点与次主极点频率接近, 放大器可能会出现阻尼震荡; VOS过大, MCP或MCN可能会进入截止区, 则放大器的带宽急剧降低, 不能在指定的时间内完成建立。当考虑PVT因素时, VOS可能超出正常工作范围, 放大器工作会变得异常。

为解决图1中的问题, 同时扩大VBP和VBN的工作范围, Lim等[6]给出了一种解决方案并简化了放大器的结构。如图2所示, 它在第二级反相器的输出端引入了电阻RB, RB两端的电压差VOS(即VCPVCN)作为内部失调电压; 同时, 在输出级引入了高阈值器件。由环形放大器的工作原理可知, 只要VOS满足:

图2 文献[5]中的环形放大器Fig.2 Ring amplifier in literature [5]

VTHN+VTHP+VOS> VDD(1)

则MCN和MCP工作在亚阈值区, 式中VTHN和VTHP分别为MCN和MCP的阈值电压。由于采用了高阈值器件和自偏置VOS, VTHN和|VTHP|都较大, 条件(1)更容易成立。因此, 这种结构能提高环形放大器的鲁棒性; 此外, 高阈值器件的引入也提高了输出阻抗, 使环形放大器的开环增益得到进一步提升。MNR的引入是为了功耗和噪声的折中。

尽管图2中的结构进一步优化了环形放大器的稳定性, 但电源抑制和共模抑制能力依然较差。对于二极管接法的MNR, 电源的扰动可直接作用到栅极, 也会产生相同的扰动, 因此, 放大器对来自电源的扰动几乎没有抑制作用; 其次, MNR上的压降VGS较大, 文献[6]中采用65 nm工艺, PMOS的VGS的典型值约为0.35 V, 对于1.2 V的电源电压, 输入管的跨导和电流可较好的折中; 但对于180 nm工艺, 这个VGS的值约为0.7 V, 要获得同样大小的跨导, 输入管的尺寸会变得很大, 而过大的尺寸会增加输入寄生电容, 进而对ADC的精度和速度造成影响, 恶化放大器的性能。此外, 电阻RB的引入虽然能产生内部失调电压, 但集成电路中电阻的制作精度较差, 其绝对误差可以达到± 20%, 这会使图2中的VOS变化较大, 此时, 输出级可能会脱离亚阈值区而进入线性区, 环形放大器将不再正常工作。

2 本文所提出的环形放大器

由图2还可以看到, 电源上的扰动不再直接作用于M2的源极, 放大器对电源的扰动有一定的抑制作用, 从而提高了第一级的电源抑制能力; 更重要的是, 由于MPR的负反馈作用, 第一级反相器的输出电压更稳定, 提高了系统的共模抑制能力。MPR工作在线性区, 引入负反馈后, 第一级反相器的等效跨导为:

Gm, st1=-(gm1+gm2go3gm2+go2+go3)≈-(gm1+12gm2)(2)

式中:gm1、gm2分别为M1和M2的跨导; go3为MPR的导纳, go3的值和gm2的值近似相等。合理调节MPR的尺寸即可调节第一级反相器的电流和带宽, 从而优化第一级反相器的速度和功耗。实际设计时, 为了获得更高的速度, M1和M2的宽长比(W/L)会尽可能大, 考虑到PMOS的迁移率较大, 一般取M2的尺寸为M1的3到4倍以使反相器的翻转尽可能在中间电平。

原有的电阻RB被共源极接法的MOS管M3和M4取代, VB是它们的偏置电压, 本文直接取VB为放大器的输出共模电压VCM(0.5VDD)。放大器的第二级被劈裂成两个共源放大器。这种结构的好处是由MOS有源负载直接产生偏置电压VCP和VCN, 其内部失调电压VOS不再受集成电路中电阻制作工艺的影响。由于M3和M4单独使用了偏置电压VB, 第一级的输出节点并未增加额外的寄生电容, 不会降低放大器的带宽; 此外, 由于输出级工作在亚阈值区, VCN较小(接近于VTHN), VCP较大(接近于VDD-|VTHP|), 因此, M3和M4的尺寸都较小, 只有微弱的上拉和下拉能力, 流过它们的电流也较小, 满足低功耗设计要求。为了降低第二级的电流, M3和M4的沟道宽度取为最小值220 nm, 实际流过每个共源级的电流约30 A。第一级反相器的带宽直接决定了放大器的速度, 因此, 第一级反相器消耗的电流较大; 第三级的电流消耗极小, 所以输出级的尺寸也较小, 实际取高压管的最小沟道长度0.35 m, 为了兼顾放大器的稳定性, 其NMOS沟道宽度仅取为1 m, PMOS的沟道宽度为3 m。

图3所示的环形放大器由于是单端输入单端输出, 它始终带有单端结构的缺点, 如偶次谐波失真大、抗噪声能力弱等。为了克服这些问题, 本文进一步提出了一种全差分环形放大器, 如图4所示。相比于文献[5, 6]中用两个单端放大器的伪差分结构, 本文提出的全差分结构对称性更好。该放大器的第一级引入了NMOS尾电流源, 使输入对实现差分化, 即形成差分输入、差分输出的环形放大器。由于线性区的MPR对第一级输出电平具有稳定作用, 故而第一级无需额外的共模反馈, 第二级增益较低, 也不需使用共模反馈, 第三级的输出共模反馈采用开关电容电路(SC-CMFB)[7], 反馈控制端VFB即是尾电流源的栅极。CK1和CK2为两相不交叠时钟, VCM为放大器的输出共模电压, VB的值与VCM相同, VBN由基本的电流镜偏置产生。输出级使用了3 V高阈值器件拓展VOS的范围, 在1.8 V的电源电压下, 仿真得到VOS约0.3 V。

图3 本文提出的环形放大器电路结构Fig.3 The proposed ring amplifier schematic

图4 提出的全差分环形放大器结构及开关电容共模反馈Fig.4 The proposed fully differential ring amplifier and SC common feedback

3 基于全差分环形放大器的余量增益电路设计

开关SAZ在断开时会对电容CC注入电荷, 这些电荷会表现为输出失调。为消除这一失调, 本设计引入了开关Sp, 它由CK1PD控制, 采用适当的时序, 可以消除SAZ引入的失调。图5给出了MDAC中各项时钟的时序图, 采样结束时, 调零开关SAZ首先断开, 然后Sp断开, 这使环形放大器输入端的电位始终近似相等, 由开关SAZ引入的失调被消除。此后, 由CK1PD2控制的开关Sp2断开, 最后CK1再断开, 由于采样开关断开时的注入电荷没有泄放通路, 不会对电路产生影响。为了观察MDAC在不同输入幅度时的增益变化, 仿真验证了一些直流值, 仿真结果可以看出, MDAC能精确地倍乘输入信号, 其输出误差小于0.5 LSB(0.976 mV)。

表1 MDAC仿真结果 Table 1 MDAC simulation result

图5 1.5 bit MDAC的结构和开关时序Fig.5 1.5 bit MDAC structure and switch timing

4 流水线ADC的设计与仿真结果
4.1 流水线ADC的结构

本节采用所提出的放大器结构设计了一种10 bit 40 MSample/s 流水线ADC。图6是流水线ADC的整体架构。为了降低ADC的整体功耗, 尽可能少地使用放大器, 流水线的后6级使用了一个6 bit异步SAR ADC取代了传统的1.5 bit/stage结构。为消除孔径误差, 本设计使用了采样保持器(SHA)。SHA的电路结构如图7所示, 采样电容为400 fF, 并采用电容翻转式结构, 由于反馈系数较大, 该结构比电荷重分布式更节省电流。采样开关使用自举开关, 以获得更低的导通电阻和更好的线性度, 采样保持器静态消耗电流约320 A。ADC的首级采用了2.5 bit, 其结构如图8所示, 它能提高系统的线性度并降低整体功耗, 其采样电容为400 fF, 消耗静态电流约440 A。由于流水线每级的容忍误差逐级加大, 分配第二级和第三级的静态电流分别为240 A、180 A, 采样电容均为360 fF。Cc的取值不宜过大, 也不宜过小, 文献[6]指出Cc+CLA> 2C1才能保证环路的稳定性, 本文取Cc为200 fF。

图6 带采样保持器的流水线ADC及每级工作时序框图Fig.6 Pipeline ADC structure with SHA and timing diagram

图7 采样保持器的电路结构Fig.7 Sample and hold amplifier configuration

图8 2.5 bit MDAC的电路结构Fig.8 2.5 bit MDAC configuration

本设计中6 bit SAR ADC的结构如图9所示, 它采用了改进的单调开关时序, 能进一步降低功耗。

图9 6 bit SAR ADC的结构Fig.9 6 bit SAR ADC configuration

与传统的单调开关[8]不同的是, 当CKS为高, 电容对输入信号采样时, 上下电容阵列只有最高有效位(MSB)电容连接至VREF, 其余位均连接至GND, 采样后直接进行比较并得到最高位输出结果, 其余位均采取先比较后置位的原则逐位得到输出码。这种工作机制使 DAC 中的电容缩减了一半, 且每次的比较过程中只有一次开关动作, 大大减少了动态功耗; 这种接法的另一个优点是减少了比较器输入共模电平的变化, 从而降低比较器的系统失调。图中SAR ADC的总电容个数为64C, 考虑到电容的面积和前级的驱动能力, 单位电容C的取值不能过大, 小的电容虽然能提高速度, 但会影响精度, 本设计采用18 fF的MIM电容作为单位电容, 上下电容阵列的总电容值为1.152 pF。

图10 6bit SAR ADC使用的比较器结构。为了降低比较器的输入失调, 本设计在尾电流源中采用了共源共栅结构。共源管MC由偏置电压VBS控制, 由于MC工作在饱和区, 其漏源端电压VDS的变化对电流的影响较小, 使输入对管的过驱动电压保持恒定, 从而降低输入失调的影响。

图10 6 bit SAR ADC中使用的比较器Fig.10 Comparator used in 6 bit SAR ADC

4.2 流水线ADC后仿真结果

本设计基于 0.18 μ m 1P5M1.8 V/3.3 V混合信号工艺构建了一个10 bit 40 MS/s流水线ADC, 图11为ADC的整体版图, 芯片面积为0.235 mm2。本设计提取出版图的寄生参数, 然后进行电路后仿真。本文首先仿真了ADC在输入斜坡信号时输出性能。当输入一个满量程(-1 V至+1 V)的斜坡信号, 为使每个LSB被采样次, 上升时间设定为102.4 s(即1024× 25 ns× 4), 再利用理想的10 bit DAC还原出ADC的量化结果。图12给出了DAC的输出瞬态曲线, 它是0~2 V的1024级台阶, 每级台阶的高度为1 LSB (1.953 mV), 且每个code均匀出现, 这说明ADC的功能完全正常。图13给出了ADC各级的(平均)功耗分布饼图, 它与之前的电流预算值基本吻合。

图11 ADC的整体版图Fig.11 Overall ADC layout

图12 斜坡信号输入时的理想DAC输出瞬态曲线Fig.12 Transient curve of DAC output for ramp input

图13 ADC各级功耗分布饼图Fig.13 A pie chart of ADC stages power consumption

当差分输入一个频率为3.964 MHz, 幅度为VPP=2 V的正弦波信号, 采样频率为40 MHz, VDD=1.8 V时, 采样2048个数据点, 利用Matlab分析ADC的静态特性和动态特性。如图14所示, DNL最大值约+0.58 LSB/-0.33 LSB, INL的最大值约+0.55 LSB/-0.57 LSB, 对于图像传感器来说, 这样的DNL和INL特性满足无失码的要求。从图15所示的ADC动态特性仿真结果可以看出, 在输入为低频(Fin = 3.964 MHz)时, ADC的SFDR为76.9 dB, SNDR为60.2 dB, 有效位数约为9.71 bit; 在输入接近奈奎斯特频率(Fin = 19.94 MHz)时, ADC的SFDR为64.9 dB,

图14 ADC的静态特性仿真结果Fig.14 ADC static characteristic simulation result

图15 输入频率分别为3.964 MHz和19.94 MHz的动态特性仿真结果Fig.15 ADC dynamic characteristic simulation result for 3.964 MHz and 19.94 MHz

SNDR为57.8 dB, 有效位数约为9.31 bit。ADC CORE的平均动态功耗约为3.78 mW。ADC的FoM定义为:

FoM=Power2ENOB·fs(3)

式中:Power为功耗, fs为采样频率。

本设计的FoM值约为148 fJ/conv-step。图16给出了ADC的SNDR、SFDR与输入频率之间的关系, 可以看到, 随着输入频率的增加, SFDR也随之下降, 当输入频率增大至奈奎斯特频率附近时, SFDR和SNDR的值最低; 这是因为在高频输入时, SHA的性能下降较快, 导致ADC的整体性能下降, 尽管如此, 这样的动态性能满足设计指标。表2对ADC的各项性能进行了总结, 并给出了ss corner和ff corner下的性能指标。

图16 SNDR、SFDR与输入频率的关系Fig.16 SNDR, SFDR versus the input frequency

表2 ADC性能总结@19.94 Mhz Table 2 ADC performance summary

表3列出了本设计和近年来文献中流水线ADC的性能指标。由表3可知, 本文中ADC的性能虽然低于部分文献的FoM值, 但本文采用较落后的0.18 μ m工艺, 相同电流消耗的下, 本文的FoM值会更高。

表3 近年报道的ADC性能对比 Table 3 Performance comparison with recent reported pipeline ADC papers
5 结束语

本文提出了一种新型全差分环形放大器, 并利用提出的放大器设计了一种10 bit40 MSample/s的流水线ADC, 在提取了版图的寄生参数后进行了后仿真。仿真结果显示本文所提出的全差分放大器功能完全正常, 本设计中的流水线ADC性能满足CMOS图像传感器的应用需求, 可以投片生产。

The authors have declared that no competing interests exist.

参考文献
[1] Hamami Shy, Fleshel L, Yadid-Pecht O. CMOS APS imager employing 3. 3v 12 bit 6. 3 Ms/S pipelined ADC[J]. IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2004, 5: 960-963. [本文引用:1]
[2] Rhee J, Joo Y. Wide dynamic range CMOS image sensor with pixel level ADC[J]. Electronics Letters, 2003, 39(4): 360-361. [本文引用:1]
[3] Abo A M, Gray P R. A 1. 5 V, 10 bit, 14. 3 MS/s CMOS pipeline analog-to-digital converter[J]. IEEE J. Solid-State Circuits, 1999, 34(5): 599-606. [本文引用:1]
[4] Brooks L, Lee H-S. A 12 b, 50 MS/s, fully differential zero-crossing based pipelined ADC[J]. IEEE J. Solid-State Circuits, 2009, 44(12): 3329-3343. [本文引用:2]
[5] Hershberg B, Weaver S, Sobue K, et al. , Ring amplifiers for switched capacitor circuits[J]. IEEE J. Solid-State Circuits, 47(12): 2928-2942. [本文引用:3]
[6] Lim Y, Flynn M P. A 10MS/s 105b 2. 46 mW comparator-less pipeline ADC using self-biased ring amplifiers[C]∥IEEE ISSCC Dig Tech Papers, 2014: 202-203. [本文引用:5]
[7] Razavi B. Design of analog CMOS integrated circuits[D]. Boston, MA, USA: McGraw-Hill, 2001: 435-436. [本文引用:1]
[8] Liu C C, Chang S J, Huang G Y, et al. A 10 bit 50 MS/s SAR ADC With a Monotonic Capacitor Switching Procedure[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, 45(4): 731-740. [本文引用:1]
[9] Ahmed I, Mulder J, Johns D A. A Low-Power Capacitive Charge Pump Based Pipelined ADC[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, 45(5): 1016-1027. [本文引用:1]
[10] Oh G G, Lee C K, Ryu S T. A 10 Bit 40 MS/s Pipelined ADC With a Wide Range Operating Temperature for WAVE Applications[J]. IEEE Transactions on Circuits & Systems II Express Briefs, 2014, 61(1): 6-10. [本文引用:1]
[11] Hu J, Dolev N, Murmann B. A 9. 4 bit, 50 MS/s, 1. 44 mW pipelined ADC using dynamic residue amplification[C]∥2008 IEEE Symposium on VLSI Circuits, 2008: 216-217. [本文引用:1]
[12] Lajevardi P, Chand rakasan A, Lee HS, et al, Zero-crossing detector based reconfigurable analog system[J]. Solid State Circuits Conference , 2011 , 46(11) : 1-4. [本文引用:1]