元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响

吉林大学学报(理学版) ›› 2022, Vol. 60 ›› Issue (2): 445-449.

元素掺杂对二维Ga₂O₂电子性质的影响

邵立¹, 谭雪卿¹, 李艳¹, 耶红刚²

1. 郑州航空工业管理学院材料学院, 郑州 450015； 2. 西安交通大学应用物理系, 西安 710049

收稿日期:2021-07-29 出版日期:2022-03-26 发布日期:2022-03-26
通讯作者: 邵立 E-mail:shaoli094@zua.edu.cn

Effect of Elements Doping on Electronic Properties of Two-Dimensional Ga₂O₂

SHAO Li¹, TAN Xueqing¹, LI Yan¹, YE Honggang²

1. College of Materials, Zhengzhou University of Aeronautics, Zhengzhou 450015, China；
2. Department of Applied Physics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China

Received:2021-07-29 Online:2022-03-26 Published:2022-03-26

摘要/Abstract

摘要： 基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga₂O₂晶体结构和电子性质的影响. 结果表明：掺杂B,C,Mg,Si,P元素可使晶体结构发生改变, 并改变掺杂体系的电子性质；与本征Ga₂O₂晶体相比, 这几种掺杂元素体系的带
隙均减小, 这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.

关键词: 密度泛函理论, 掺杂, 能带结构, 态密度

Abstract: The VASP (Vienna ab-initio simulation package) software package based on density functional theory was used to calculate the effect
of five metal and non-metal doping on the crystal structure and electronic properties of two-dimensional Ga₂O₂. The results show that the doping of B,C,Mg,Si and P can change the crystal structure and electronic properties of Ga₂O₂. Compared with the intrinsic Ga₂O₂ crystal, the band gaps of these doping systems are all decrease, which is due to the charge redistribution between the doped atom and the adjacent atom.

Key words: density functional theory (DFT), doping, energy band structure, density of state (DOS)

中图分类号:

TB303

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Effect of Elements Doping on Electronic Properties of Two-Dimensional Ga₂O₂

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