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C3N4的高压电学特性
杨洁, 田红志, 韩永昊
J4. 2007 (01):
85-88.
摘要
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利用在金刚石对顶砧(DAC)上的集成微电路技术, 高压原位测量类石墨相C3N4的电阻. 实验结果表明, 在293 K, 5 GPa和11 GPa的压力点, 电阻明显下降, 与理论计算的结构相变压力点一致; 在77 K, 5 GPa压力点的电阻基本不变; 11 GPa压力点的电阻变化更明显. 在21 GPa压力点附近, C3N4的电阻发生突变, 表明此时存在一个未知的相变.
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计量指标
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