J4 ›› 2012, Vol. 30 ›› Issue (1): 1-4.
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基于0.5 μm CMOS工艺的BOOST变换器设计
丁玲a|b|余昭杰a|b|李靖a|b|周泉a|b|杜国同a|b|常玉春a|b
- 吉林大学 a.电子科学与工程学院;b.集成光电子学国家重点联合实验室|长春 130012
BOOST Converter Design in 0.5 μm CMOS Technology
DING |Linga|b|YU Zhao-jiea|b|LI Jinga|b|ZHOU Quana|b|DU Guo-tonga|b|CHANG Yu-chuna|b
- a.College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130012,China;b.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronic
摘要：
针对便携式通信设备对DC-DC变换器的输出电压纹波和效率要求较高的问题，提出了一种同步整流模式的BOOST型DC-DC变换器电路，以提高芯片的转换效率。该设计采用CSMC （Central Semiconductor Manufacturing Corporation） 0.5 μm CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺，并利用0.5 μm双层多晶硅三层金属的CMOS工艺实现了电路的版图绘制。仿真结果证明，变换器能稳定输出电压，并具有较小的电压纹波和较高的转换效率等优点。
中图分类号:
- TN431.1