高质透明ZnO/金刚石异质结的制备

高质透明ZnO/金刚石异质结的制备

杨洁¹, 田红志², 王成新³

1. 空军航空大学基础部, 长春 130022; 2. 吉林大学学报(信息科学版)编辑部, 长春 130012; 3. 中山大学物理科学与工程学院, 广州 510275

收稿日期:2005-11-17 修回日期:1900-01-01 出版日期:2006-05-26 发布日期:2006-05-26
通讯作者: 杨洁

Fabrication of High-quality Transparent ZnO/Diamond Heterojunction

YANG Jie¹, TIAN Hong-zhi², WANG Cheng-xin³

1. Department of Foundation, Aviation University of Airforce, Changchun 130022, China; 2. Editorial Department of Journal of Jilin University (Information Science Edition), Changchun 130012, China; 3. School of Physics and Engineering, Zhongshan University, Guangzhou 510275, China

Received:2005-11-17 Revised:1900-01-01 Online:2006-05-26 Published:2006-05-26
Contact: YANG Jie

摘要/Abstract

摘要： 介绍一种高质透明异质结的表征与制备方法. 该异质结首先在金刚石单晶表面制备出p型金刚石单晶薄膜, 然后在其上制备高取向ZnO薄膜, 构成n型区. 系统测试结果表明, 当p\|n结正向偏压达到2.5 V时, 电流密度为109 A/m2, 启动电压为0.72 V, 与期待值一致. 良好的整流特性以及在可见光范围内的透明特性在该元件中得以实现. 

关键词: ZnO, 金刚石, p\|n结, 组装

Abstract: The fabrication and characterization of high-quality transparent heterojunction between n-type ZnO film and p-type diamond single crystalline film on the substrate of diamond bulk single crystal are described. The results indicate that the current density of the fabricated p-n junction reaches 110 A/m2 when the forward bias voltage is 2.5 V, and the turn-on voltage value is about 0.75 V that are in agreement with the expected values. Moreover, the excellent rectification characteristic and transparentness in the visible light range were applied in the device.

Key words: ZnO, diamond, p-n junction, fabrication

中图分类号:

O475

杨洁, 田红志, 王成新. 高质透明ZnO/金刚石异质结的制备[J]. J4, 2006, 44(03): 460-464.

YANG Jie, TIAN Hong-zhi, WANG Cheng-xin. Fabrication of High-quality Transparent ZnO/Diamond Heterojunction[J]. J4, 2006, 44(03): 460-464.

[1]	李卓霖, 杨金也, 付秀华, 张静, 董所涛, 韩阳. 聚酰亚胺柔性基底红外隔热和保护膜的制备及性能分析[J]. 吉林大学学报(理学版), 2024, 62(6): 1464-1470.
[2]	贾明明, 赵旭浩, 刘畅源, 陈克正. 花球状ZnO的化学合成及光催化降解有机染料性能[J]. 吉林大学学报(理学版), 2023, 61(5): 1211-1218.
[3]	王璐, 万嘉怡, 王天一, 王琪, 叶梅艳, 朱品文, 鲍永军. 金刚石对顶砧封垫材料显微激光打孔机设计[J]. 吉林大学学报(理学版), 2021, 59(6): 1551-1555.
[4]	李春萍, 宫丽晶, 周志明, 张健. ZnO纳米线的三阶非线性光学性质[J]. 吉林大学学报(理学版), 2020, 58(5): 1254-1258.
[5]	王利行, 徐培, 常笑鹏, 骆泽阳, 王欢, 宋浩冉, 王德军. 量子点敏化太阳能电池ZnO光阳极的制备及性能[J]. 吉林大学学报(理学版), 2020, 58(4): 992-996.
[6]	高丽丽, 李淞菲, 曹天福, 张雪. 溅射气氛对ZnO∶N薄膜光学性能的影响[J]. 吉林大学学报(理学版), 2016, 54(01): 138-142.
[7]	高丽丽, 徐莹, 刘力, 张淼. 退火温度对N掺杂MgZnO薄膜光电性能的影响[J]. 吉林大学学报(理学版), 2014, 52(03): 578-582.
[8]	车立新, 张壮飞, 于卓，鲁晶, 陈立学. Fe-Ni-C粉末触媒体系金刚石的合成与表征[J]. 吉林大学学报(理学版), 2014, 52(02): 344-347.
[9]	李雪飞, 孔令男, 沈龙海, 高铭, 胡廷静, 李明, 杨景海. 高压下AlN纳米带的Raman光谱特性[J]. 吉林大学学报(理学版), 2014, 52(01): 117-120.
[10]	王立, 王德军, 郎集会. 不同衬底对CBD法制备ZnO纳米棒阵列的影响[J]. J4, 2012, 50(03): 563-.
[11]	辛春雨, 张继德, 刘成有, 蒋大勇, 秦杰明. 溶胶-凝胶法ZnO薄膜的制备及性能表征[J]. J4, 2012, 50(01): 122-125.
[12]	王丽丽, 王志军, 宋立军, 杨睿, 金勇, 安涛, 苏杭, 王永权, 李守春. Mn掺杂纳米晶ZnO的制备及其性质[J]. J4, 2011, 49(06): 1110-1114.
[13]	张洋, 董凤霞, 万素琴, 谢晓军, 宫丽晶, 王运峰, 邱利霞. 铁镍触媒合成金刚石内部包裹体的研究[J]. J4, 2011, 49(05): 935-939.
[14]	单洪岩, 宇博. 碱土金属添加剂对Cu-ZnO/SiO₂催化仲丁醇脱氢反应性能的影响[J]. J4, 2011, 49(03): 540-543.
[15]	刘惠莲, 张永军, 王雅新, 魏茂斌, 杨景海. Fe掺杂ZnO稀磁半导体的结构与磁性[J]. J4, 2009, 47(6): 1282-1286.