Fe-Si-C体系合成金刚石的生长特性

Fe-Si-C体系合成金刚石的生长特性

郑友进¹,², 马红安¹, 周林¹, 秦杰明¹, 贾晓鹏¹

1. 吉林大学超硬材料国家重点实验室, 长春 130012; 2. 牡丹江师范学院物理系, 黑龙江牡丹江 157000

收稿日期:2007-01-28 修回日期:1900-01-01 出版日期:2008-01-26 发布日期:2008-01-26
通讯作者: 贾晓鹏

Growth Characteristics of Synthetic Diamond in Fe-Si-C System

ZHENG You jin¹,², MA Hong an¹, ZHOU Lin¹, QIN Jie ming¹, JIA Xiao peng¹

1. State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, China; 2. Department of Physics, Mudanjiang Teachers College, Mudanjiang 157000, Heilongjiang Province, China

Received:2007-01-28 Revised:1900-01-01 Online:2008-01-26 Published:2008-01-26
Contact: JIA Xiao peng

摘要/Abstract

摘要： 研究高温高压下掺Si合成金刚石, 并与Fe-C体系合成的金刚石进行比较. 实验结果表明, 体系中掺入Si, 合成的晶体颜色比Fe-C体系合成的晶体颜色浅, 在相同的合成时间内, Fe-Si-C体系合成金刚石的粒度比Fe-C体系合成金刚石的粒度小; 通过X射线衍射(XRD)可见, 该体系产生FeSi和Fe₃C两种新物质. 

关键词: 硅, 高温高压, 金刚石, 粒度

Abstract: By high pressure and high temperature (HPHT) method, the study on introducing Si into diamond synthesis was carried out. Experimental results indicate that owing to the introduction of Si, the color of diamonds from Fe-Si-C system appears to be shallower than that from Fe-C system. And within the same synthetic time, the crystal size of diamonds from Fe-Si-C system is smaller than that from Fe-C system. From X-ray data, we can find that there are two kinds of new compounds, FeSi and Fe₃C, in the Fe-Si-C system.

Key words: silicon, high pressure and high temperature, diamond, crystal size

中图分类号:

TQ164

郑友进,, 马红安, 周林, 秦杰明, 贾晓鹏. Fe-Si-C体系合成金刚石的生长特性[J]. J4, 2008, 46(01): 120-122.

ZHENG You jin,, MA Hong an, ZHOU Lin, QIN Jie ming, JIA Xiao peng. Growth Characteristics of Synthetic Diamond in Fe-Si-C System[J]. J4, 2008, 46(01): 120-122.

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