吉林大学学报(工学版) ›› 2011, Vol. 41 ›› Issue (6): 1743-1747.
魏克新1,2,杜明星1,2
WEI Ke-xin1,2,DU Ming-xing1,2
摘要:
在分析绝缘栅双极型晶体管(Insulated grid bipolar transistor,IGBT)模块内部传热机理的基础上,建立了集总参数的温度计算模型。采用边界元法对传热反问题的解空间进行离散。采用共轭梯度法求解传热反问题,得到较准确的等效热阻和等效热容值。该方法通过与制造商提供的IGBT模块结温实验数据和有限元方法计算的结果相比较,计算误差小于5%。
中图分类号:
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