摘要: 研究纳米TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明, 沉积在Ti和Si基底上的TiO2薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程, Ti
O2薄膜导电层厚度也不相同, 沉积在玻璃表面TiO2薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致, 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.
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顾广瑞, 何 志, 李英爱, 张崇 才, 李卫青, 殷 红, 赵永年. 界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响[J]. J4, 2002, 40(03): 273-275.
GU Guang-rui, HE Zhi, LI Ying-ai, ZHANG Chong-cai,LI Wei-qing, YIN Hong, ZHAO Yong-nian. Influence of Interface Electrons Transfer on Conductivity of Nanometer TiO2 Thin Films[J]. J4, 2002, 40(03): 273-275.