双层铁电薄膜性质的研究

双层铁电薄膜性质的研究

张芹　郑植仁

吉林大学物理科学学院,长春,130023

收稿日期:2002-06-27 修回日期:1900-01-01
通讯作者: 郑植仁

Properties of Two-layer Ferroelectric Thin Film

ZHANG Qin , ZHENG Zhi-ren

College of Physics , Jilin University , Changchun 130023 ,China

Received:2002-06-27 Revised:1900-01-01
Contact: ZHENG Zhi-ren

摘要/Abstract

摘要： 利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究突变型和缓变型二级相变双层铁电薄膜界面对铁电薄膜性质的影响.

关键词: 铁电薄膜, GLD理论, 自由能, 铁电相变

Abstract: By means of the generalized Ginzburg-Landau-Devoshire (GLD) theory , the influence of the interface between two different materials with the second order transition on the properties of ferroelectric thin films with the step-type and slowly varying structures is studied.

Key words: ferroelectric thin film, GLD theory, free energy, ferroelectric phase transition

中图分类号:

O484

张芹　郑植仁. 双层铁电薄膜性质的研究[J]. J4, 2002, 40(04): 392-394.

ZHANG Qin , ZHENG Zhi-ren. Properties of Two-layer Ferroelectric Thin Film[J]. J4, 2002, 40(04): 392-394.

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