X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响

X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响

周银行¹, 马玉刚¹, 刘少林², 孙亮¹, 赵广义¹, 马纯辉¹

1. 吉林大学物理学院, 长春 130021; 2. 吉林大学电子科学与工程学院, 长春 130012

收稿日期:2005-09-08 修回日期:1900-01-01 出版日期:2006-07-26 发布日期:2006-07-26
通讯作者: 马玉刚

Effect on Dose Enhancement of Double Deck Package Materials Produced by X-ray

ZHOU Yin hang¹, MA Yu gang¹, LIU Shao lin², SUN Liang¹, ZHAO Guang yi¹, MA Chun hui¹

1. College of Physics, Jilin University, Changchun 130021, China; 2. College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China

Received:2005-09-08 Revised:1900-01-01 Online:2006-07-26 Published:2006-07-26
Contact: MA Yu gang

摘要/Abstract

摘要： 用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数, 并进行比较. 结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小, 并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.

关键词: MonteCarlo方法, X射线, 封装材料, 剂量增强系数

Abstract: DEFs (Dose Enhancement Factor) in Silicon produced by X-rays with different energies were calculated via Monte Carlo method for the structures (such as Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si and Au/Kovar-Si)  of double package materials. The sensitive section of dose enhancement in Silicon of semiconductor device was determined. DEFs at the different sensitive sections in Silicon and the energy ranges of X-ray for dose enhancement were also demonstrated. 

Key words: Monte Carlo method, X-ray, package material, dose enhancement factor

中图分类号:

O434.1

周银行, 马玉刚, 刘少林, 孙亮, 赵广义, 马纯辉. X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响[J]. J4, 2006, 44(04): 637-640.

ZHOU Yin hang, MA Yu gang, LIU Shao lin, SUN Liang, ZHAO Guang yi, MA Chun hui. Effect on Dose Enhancement of Double Deck Package Materials Produced by X-ray[J]. J4, 2006, 44(04): 637-640.

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