高丽丽1, 徐莹2, 刘力1, 张淼1
GAO Lili1, XU Ying2, LIU Li1, ZHANG Miao1
摘要:
采用射频磁控溅射技术, 用氮气作为掺杂源, 在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO薄膜, 并将薄膜分别在550,600,650,700 ℃真空中进行热退火处理. 结果表明: 晶体质量随退火温度的升高而提高; 薄膜中Mg和Zn的原子比发生了变化; Raman光谱中位于272,642 cm-1处的振动峰逐渐消失; 室温光致发光光谱中薄膜的紫外激子发射峰变强, 且发生峰移; 随着退火温度的升高, 薄膜的导电类型发生转变, 当退火温度为600 ℃时, 薄膜呈最佳的p型导电性质.
中图分类号: