硅烯电极材料的第一性原理计算

吉林大学学报(理学版) ›› 2020, Vol. 58 ›› Issue (3): 688-691.

硅烯电极材料的第一性原理计算

曹妙聪, 徐强

长春工程学院勘查与测绘工程学院, 长春 130021

收稿日期:2019-10-08 出版日期:2020-05-26 发布日期:2020-05-20
通讯作者: 徐强 E-mail:627287881@qq.com

FirstPrinciple Calculations of Silicene Electrode Materials

CAO Miaocong, XU Qiang

School of Prospecting and Surveying, Changchun Institute of Technology, Changchun 130021, China

Received:2019-10-08 Online:2020-05-26 Published:2020-05-20
Contact: XU Qiang E-mail:627287881@qq.com

摘要/Abstract

摘要： 用第一性原理计算硅烯在N和S原子共掺杂时的能带及电子态密度, 并研究硅烯量子电容与不同掺杂构型间的关系. 结果表明: 引入N/S和N/B共掺杂原子可导致Fermi能级处产生局域态; 在-0.6~0.6 V内, 用NSS,NS,NBB,NNB和NB掺杂硅烯的量子电容均增加, 其中NSS掺杂单空位硅烯在Fermi能级附近, 其量子电容为43.9 μF/cm2, 量子电容增加明显.

关键词: 硅烯, 第一性原理, 能带结构, 量子电容

Abstract: The first principle was used to calculate the energy band and electronic density of states of N and S atom codoping, and to study the
relationship between quantum capacitance and different doping configuration. The results show that the introduction of N/S and N/B codoping atoms can lead to localized state at Fermi level. In the range of -0.6 V to 0.6 V potential, the quantum capacitance of NSS,NS,NBB,NNB and NB doping structures is higher than that of pristine silicene. The quantum capacitance of NSS doping single vacancy silicene is 43.9 μF/cm²at Fermi level.

Key words: silicene, first principle, band structure, quantum capacitance

中图分类号:

O469

曹妙聪, 徐强. 硅烯电极材料的第一性原理计算[J]. 吉林大学学报(理学版), 2020, 58(3): 688-691.

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