自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

孙剑¹,², 白亦真¹,², 杨天鹏³, 孙景昌², 杜国同²,³

1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 辽宁省大连116023; 2. 大连理工大学物理与光电工程学院, 辽宁省大连116023; 3. 吉林大学集成光电子国家重点实验室, 电子科学与工程学院, 长春 130012

收稿日期:2006-11-01 修回日期:1900-01-01 出版日期:2007-09-26 发布日期:2007-09-26
通讯作者: 白亦真

Growth and Electrical Properties of ZnO Films Deposited on Freestanding Thick Diamond Films

SUN Jian¹,², BAI Yi zhen¹,², YANG Tian peng³, SUN Jing chang², DU Guo tong²,³

1. State Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams, Dalian University of Technology, Dalian 116023, Liaoning Province, China; 2. College of Physics and Opto\|electronic Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China; 3. State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China

Received:2006-11-01 Revised:1900-01-01 Online:2007-09-26 Published:2007-09-26
Contact: BAI Yi zhen

摘要/Abstract

摘要： 采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm²/(V·s). 

关键词: 声表面波滤波器, 金刚石, ZnO薄膜, 金属有机化合物气相沉积

Abstract: ZnO thin films were prepared on the smooth nucleation surfaces of freestanding CVD thick diamond films by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with two-step growth method. The growth and electrical properties of the ZnO films are characterized experimentally. The ZnO film deposited at a substrate temperature of 600 ℃ exhibited a clean surface with c-preferred orientation and had a mobility of 3.79 cm²/(V·s).

Key words: SAW filter, diamond, ZnO film, metal organic chemical vapor deposition

中图分类号:

O484.5

孙剑,, 白亦真,, 杨天鹏, 孙景昌, 杜国同,. 自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性[J]. J4, 2007, 45(05): 822-826.

SUN Jian,, BAI Yi zhen,, YANG Tian peng, SUN Jing chang, DU Guo tong,. Growth and Electrical Properties of ZnO Films Deposited on Freestanding Thick Diamond Films[J]. J4, 2007, 45(05): 822-826.

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