摘要: 用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照
射时13C的自旋晶格弛豫过程. 理论分析表明, 在1H受到射频场照射时, 13C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程, 但在特定实验条件下可以变为单指数过程. 数值模拟可显示出满足TC1H1和T C1>TH1条件的
13C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13C自旋晶 格弛豫的影响. 通过实验观察固体L-缬氨酸的甲13C自旋晶格弛豫过程, 测定 相应的弛豫时间. 所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合.
中图分类号:
许峰, 刘玉林, 黄永仁. 质子射频场照射对13C自旋晶格弛豫的影响[J]. J4, 2002, 40(01): 75-79.
XU Feng, LIU Yu-lin, HUANG Yong-ren. The Effect of 1H RF Irradiation on 13C Spin-lattice Relaxa tion[J]. J4, 2002, 40(01): 75-79.