孙文斗1,2, 顾广瑞1, 孙 龙1, 李全军 1, 李哲奎1, 盖同祥1, 赵永年3
SUN Wen-dou1,2, GU Guang-rui1, SUN Long1, LI Q uan-jun1,LI Zhe-kui1, GAI Tong-xiang1, ZHAO Yong-nian3
摘要: 利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现 沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜, 阈值电场为12 V/μm, 电场升到34 V/μm, 场发射电流为280 μA/cm2. 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线, 表明电子是通过 隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.
中图分类号: