顾广瑞1, 李英爱2, 林景波1, 李, 李哲奎1, 郑伟涛3, 赵永年2, 金曾孙2全军1
GU Guang-rui1, LI Ying-ai2, LIN Jing-bo1 , LI Quan-jun1, ZHENG Wei-tao3, ZHAO Yong-nian2, JIN Zeng-sun2
摘要: 利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si(0.008~0.02 Ω·m)基底上沉积了氮化 硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN(h-BN)相. 在超高真空系统中 测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基 底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F~N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射 到真空.
中图分类号: