高压下ZnS的电输运行为

高压下ZnS的电输运行为

杨洁¹, 田红志², 韩永昊³

1. 空军航空大学基础部, 长春 130022; 2. 吉林大学学报(信息科学版)编辑部, 长春 130012; 3. 东南大学物理系, 南京 210096

收稿日期:2005-11-17 修回日期:1900-01-01 出版日期:2006-09-26 发布日期:2006-09-26
通讯作者: 杨洁

Electrical Transition Behavior of ZnS under High Pressure

YANG Jie¹, TIAN Hong zhi², HAN Yong hao³

1. Department of Foundation, Aviation University of Air Force, Changchun 130022, China; 2. Editorial Department of Journal of Jilin University (Information Science Edition), Changchun 130012, China; 3. Department of Physics, Southeast University, Nanjing 210096, China

Received:2005-11-17 Revised:1900-01-01 Online:2006-09-26 Published:2006-09-26
Contact: YANG Jie

摘要/Abstract

摘要： 通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路, 原位测量了ZnS电阻率随压力的变化, 证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变, 而非金属化相变, 并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象. 

关键词: 电输运, 高压, ZnS, 电阻率

Abstract: The resistance of ZnS was in-situ measured under high pressure by using integrated microcircuit on DAC with an alumina film as a insulating layer. It has been confirmed that the phase transition of ZnS is a semiconductor to semiconductor phase transition, not a semiconductor to metallic phase transition. The reversibility of the phase transition of ZnS is observed. In addition, the hysteresis of the phase transition of ZnS was found.

Key words: electrical transition, high-pressure, ZnS, resistivity 

中图分类号:

O521.21

杨洁, 田红志, 韩永昊. 高压下ZnS的电输运行为[J]. J4, 2006, 44(05): 775-778.

YANG Jie, TIAN Hong zhi, HAN Yong hao. Electrical Transition Behavior of ZnS under High Pressure[J]. J4, 2006, 44(05): 775-778.

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