摘要: 将采用直流磁控溅射方法制备的TiNi薄膜沉积在玻璃衬底上, 在退火温度为500 ℃时, 应用X射线衍射(XRD)和小角X射线散射(SAXS)研究室温溅射的TiNi合金薄膜结晶粒子的长大行为. 结果表明, 薄膜中的晶化粒子约在前13 min以成核的方式生成, 而在13 min后不断长大, R3G与退火时间t的关系不完全满足Lifshitz’s动力学理论.
中图分类号:
孟繁玲, 李永华, 刘常升, 徐 跃, 王煜明. TiNi形状记忆合金薄膜结晶粒子的长大行为[J]. J4, 2008, 46(03): 531-534.
MENG Fan ling, LI Yong hua, LIU Chang sheng, XU Yue, WANG Yu ming. The Behavior of Crystalline Grain Growth in TiNi Shape Memory Alloy Thin Films[J]. J4, 2008, 46(03): 531-534.