摘要: 采用直流磁控溅射方法, 以Ar/N2(N2/(Ar+N2)=10%)为放电气体, 在Si(100)单晶衬底上获得了γ′-Fe4N薄膜样品. 利用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)研究衬底偏压对γ′-Fe4N薄膜样品的影响. 结果表明, 随着衬底负偏压的增大, γ′-Fe4N薄膜样品的晶胞参数减小, Fe和N的化合效率与样品的致密度提高, 表面缺陷减少, 矫顽力降低.
中图分类号:
赵利军, 王丽丽, 宫 杰, 郑伟涛. 衬底偏压对γ′-Fe4N薄膜磁性的影响[J]. J4, 2008, 46(05): 963-966.
ZHAO Li jun, WANG Li li, GONG Jie, ZHENG Wei tao. Effect of Substrate Bias Voltage on Magnetic Properties of γ′-Fe4N Thin Films[J]. J4, 2008, 46(05): 963-966.