王丽丽1,2, 赵利军2, 姜伟棣3, 朱 莉2, 宫 杰2, 郑伟涛1
WANG Li li1,2, ZHAO Li jun2, JIANG Wei di3, ZHU Li2, GONG Jie2, ZHENG Wei tao1
摘要: 采用直流磁控溅射方法, 在Si(100)单晶衬底上制备γ′-Fe4N纳米晶薄膜样品, 并利用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构和磁性进行测试分析, 给出了比饱和磁化强度及矫顽力与温度的关系. 结果表明, 样品沿(111)晶面择优生长, 具有单一的易磁化方向, 且易磁化方向平行于(111)晶面. 随着测量温度的降低, γ′-Fe4N纳米晶薄膜样品的比饱和磁化强度σs增加, 矫顽力Hc增大, 剩磁比σr/σs减小. 通过理论拟合确定了比饱和磁化强度与矫顽力随温度的变化关系, 矫顽力随温度的变化满足T1/2规律, 比饱和磁化强度σs与温度不满足Bloch的T3/2规律, 表明在80~350 K温度范围内自旋波之间存在较强的相互作用.
中图分类号: