于立军1, 张春红2, 张忠政2, 邓永荣2, 闫万珺2
YU Lijun1, ZHANG Chunhong2, ZHANG Zhongzheng2,DENG Yongrong2, YAN Wanjun2
摘要:
采用第一性原理方法, 计算含空位缺陷CrSi2的电子结构和光学性质, 并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光电性能. 结果表明: Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常数和体积变小; 能带结构密集而平缓, 且整体向上移动, Si空位缺陷形成带隙宽度为0.35 eV的p型间接带隙半导体, Cr空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带; 含空位缺陷CrSi2的电子态密度仍主要由Cr 3d层电子贡献, Si空位缺陷对电子态密度的影响较小, Cr空位缺陷提高了Fermi面处的电子态密度; 与CrSi2相比, 含空位缺陷CrSi2的介电峰均向低能方向略有偏移且峰值降低, 吸收系数明显变小.
中图分类号: