一种新型i线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备及性质

吉林大学学报(理学版)

一种新型i线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备及性质

徐娜¹, 孟磊²

1. 吉林化工学院材料科学与工程学院, 吉林吉林 132022; 2. 吉林化工学院理学院, 吉林吉林 132022

收稿日期:2013-08-09 出版日期:2014-09-26 发布日期:2014-09-26
通讯作者: 孟磊 E-mail:menglei19840512@sina.com

Synthesis of a Novel Chemically Amplified Resist for i-Line Lithography

XU Na^1, MENG Lei^2

1. School of Materials Science and Engineering, Jilin Institute of Chemical Technology, Jilin 132022, JilinProvince, China; 2. School of Science, Jilin Institute of Chemical Technology, Jilin 132022, Jilin Province, China

Received:2013-08-09 Online:2014-09-26 Published:2014-09-26
Contact: MENG Lei E-mail:menglei19840512@sina.com

摘要/Abstract

摘要：

将具有高酸解活性的酯缩醛聚合物与重氮萘醌磺酸酯配合, 组成正性化学增幅型光致抗蚀剂, 用于高感度化学增幅型i线（365 nm）光致抗蚀剂. 实验结果表明: 在酸的作用下, 该类聚合物可分解为小分子片段; 与传统的光致抗蚀剂体系相比, 该体系用稀碱水显影时具有更高的溶解速率, 且可进一步提高感度, 可制作线宽小于
0.5 μm的图像.

关键词: 酯缩醛聚合物, 重氮萘醌磺酸酯, 化学增幅, i-线光致抗蚀剂

Abstract:

An ester acetal polymer with high acidolysis activity was combined with diazonaphthoquinone sulfonate to form a novel photoresist, which can be used as a chemically amplified iline (365 nm) photoresist with a high sensitivity. Under the action of acid, the polymer can be decomposed into small molecular fragments. Compared with the traditional photoresist system, it performs dissolution rate higher when developed with diluted alkali, and can further improve the sensitivity. And the image with linewidth less than 0.5 μm can be made.

Key words: acetal polymers, 2-diazo\, 1\, naphthoquinone-4-sulfonyl sulfonate (2,1,4-DNQ sulfonate), chemically amp

中图分类号:

徐娜, 孟磊. 一种新型i线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备及性质[J]. 吉林大学学报(理学版), 2014, 52(05): 1073-1076.

XU Na, MENG Lei. Synthesis of a Novel Chemically Amplified Resist for i-Line Lithography[J]. Journal of Jilin University Science Edition, 2014, 52(05): 1073-1076.

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