J4 ›› 2011, Vol. 49 ›› Issue (04): 760-763.
基于N-BDAVBi的非掺杂高效蓝色OLEDs
姚冠新1, 韩强1,2, 姜文龙2, 王艳玲2,3, 王福军2, 王冬梅2
- 1. 江苏大学 材料科学与工程学院, 江苏 镇江 212013|2. 吉林师范大学 信息技术学院, 吉林 四平 136000|3. 吉林医药学院 教务处, 吉林 吉林 132013
High Efficient Undoped Blue Organic Light\|Emitting Devices Based on N-BDAVBi
YAO Guan xin1, HAN Qiang1,2, JIANG Wen long2, WANG Yan ling2,3, WANG Fu jun2, WANG Dong mei2
- 1. School of Material Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, Jiangsu Province, China|2. College of Information and Technology, Jilin Normal University, Siping 136000, Jilin Province, China|3. Academic Affair Office, Jilin Medical College, Jilin 132013, Jilin Province, China
摘要：
采用真空蒸镀方法, 制备了以N\|BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件, 器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB(10 nm)/N\|BDAVBi((3+d) nm)/ADN(7 nm)/N\|BDAVBi((3+d) nm)/ADN(7 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al. 通过调整N\|BDAVBi层的厚度, 研究了器件的发光性能. 结果表明, 当N\|BDAVBi的厚度为7 nm时, 器件在6 V电压下的电流效率最大, 为4.38 cd/A; 当N\|BDAVBi的厚度为11 nm时, 器件在13 V电压下的亮度最大, 为13 200 cd/m2. 该组器件的色坐标在0~13 V时均位于蓝光区域.
中图分类号:
- TN383