摘要: 采用直流磁控溅射方法, 制备出沉积在不同温度衬底上
的NiTi薄膜. 应用X射线衍射、 小角X射线散射和差热扫描量热法研究了两种衬底温度(室温和573 K)溅射的NiTi合金薄膜晶化温度和在763 K退火1 h的晶化程度.
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陶艳春, 李永华, 徐 跃, 孟繁玲, 郑伟涛, 邵振杰, 赵 江. 衬底温度对NiTi薄膜晶化温度的影响[J]. J4, 2005, 43(02): 197-200.
TAO Yan-chun, LI Yong-hua, XU Yue, MENG Fan-ling, ZHENG Wei-tao, SHAO Zhen-jie, ZHAO Jiang. Effect of Substrate Temperature on Crystallization Temperature of NiTi Thin Films[J]. J4, 2005, 43(02): 197-200.