何朝政1, 马质璞2, 张帅1, 周大伟1, 濮春英1,卢成1, 仲志国1, 李硕1, 李根全1
HE Chaozheng1, MA Zhipu2, ZHANG Shuai1, ZHOU Dawei1, PU Chunying1,LU Cheng1, ZHONG Zhiguo1, LI Shuo1, LI Genquan1
摘要:
采用密度泛函理论(DFT)和周期性平板模型, 考察NO在Ir(110)表面上的吸附、 解离及N2生成机理. 计算结果表明: NO以N端向下在顶位吸附为最稳定的吸附方式, 其次是短桥位, 空位吸附最不稳定; 顶位吸附的NO在表面存在2条解离通道: 1) 直接解离通道; 2) 由初始态扩散到短桥位, 继而发生N—O键断裂生成N原子和O原子, 是NO在表面解离的主要通道; 解离后的N原子经联短桥位共吸附态发生N—N聚合反应生成N2, 在表面共存的O原子促进了N2的生成, 与实验结果相符.
中图分类号: