周向东1, 李子亨1,2, 李志有1
ZHOU Xiangdong1, LI Ziheng1,2, LI Zhiyou1
摘要: 分别以Cd(NO3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源, 用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜. 考察了Cd2+浓度、 沉积温度、 沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响. 紫外可见吸收谱和原子力显微镜结果表明, 改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边, 得到均一致密的CdS纳米薄膜. 探讨了膜形成机理, 给出了成核过程模型, 进一步修正了传统成膜机制. 认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键. 晶核的形成是电学、 热学、 力学和化学等因素共同作用的结果.
中图分类号: