高丽丽, 李淞菲, 曹天福, 张雪
GAO Lili, LI Songfei, CAO Tianfu, ZHANG Xue
摘要:
以ZnO陶瓷为靶材, 高纯N2和Ar为溅射气体, 利用磁控溅射生长系统制备N掺杂ZnO薄膜. 通过改变溅射气氛中N2的流量, 研究ZnO薄膜光学性能的变化规律, 其中N2流量分别控制为0,8,20,32 mL/min. 结果表明: 当溅射气氛中N2流量增加时, ZnO∶N薄膜的光学带隙发生改变, 吸收边红移; 在室温光致发光光谱中, 紫 外激子发射峰与可见光区发射峰强度的比值变小, 紫外激子发射峰位红移; 在Raman光谱中, 位于272,642 cm-1附近的振动模增强.
中图分类号: