J4 ›› 2010, Vol. 48 ›› Issue (02): 299-302.
姜伟棣, 宫杰, 焦志伟
JIANG Wei di, GONG Jie, JIAO Zhi wei
摘要:
采用磁控溅射法制备居里温度(TC)略低于奈尔温度(TN)的Cr/Gd双层薄膜. 利用振动样品磁强计研究薄膜在不同温度下的磁滞特性. 结果表明: 该类薄膜系统与TC>TN的铁磁/反铁磁双层薄膜的磁滞特性不同, 当测量温度(T)大于TC时, Gd层处于铁磁态, 矫顽力(HC)随温度非单调变化; 当T为80~205 K时, HC随温度增加逐渐减小; 在T=205 K出现一个极小值后逐渐增大; 在T=255 K附近出现一个主峰; 当T为255~295 K时, HC随温度升高迅速减小; 当T>295 K时, HC随温度升高迅速增大. 即铁磁/反铁磁界面处的反铁磁自旋与铁磁自旋的交换耦合作用对铁磁层磁有序态的维持温度和矫顽力影响较大.
中图分类号: