立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究

吉林大学学报(信息科学版) ›› 2014, Vol. 32 ›› Issue (3): 284-287.

立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究

侯国华¹, 姜麟麟²

1. 吉林广播电视大学开放学院, 长春 130022； 2. 吉林大学汽车工程学院, 长春 130022

出版日期:2014-05-24 发布日期:2014-07-18
作者简介:侯国华(1959—), 男, 长春人, 吉林广播电视大学副教授, 主要从事半导体器件和传感器的实验研究, (Tel)86-13074319080(E-mail)434208808@qq.com。

SpaceChargeLimited Currents in c-BN Schottky Diodes

HOU Guohua¹, JIANG Linlin²

1. College of Open, Jilin Radio and TV University, Changchun 130022, China；2. College of Automotive Engineering, Jilin University, Changchun 130022, China

Online:2014-05-24 Published:2014-07-18

摘要/Abstract

摘要：

为解决金属/立方氮化硼（c-BN）接触问题, 提出Si掺杂的立方氮化硼单晶的上表面采用Cu,Zn合金探针、下表面采用Ag浆烧结, 制备一个空间电荷限制肖特基二极管。室温下IV特性实验数据表明, 在10 V时器件的整流比为370。提出了该器件的等效电路模型, 并且结合空间电荷限制电流和热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明, 正向电流与电压呈现二次幂函数关系。实验测量发现, 该二极管开启电压高达4.2 V, 最高工作温度超过500 ℃。

关键词: 金属/立方氮化硼, 整流, 空间电荷限制电流, 等效电路模型

Abstract:

To solve the the metal/cubic boron nitride (c-BN) contact problem, we put forward the Si doping of cubic boron nitride single crystal on the surface of the Cuzinc alloy probe, the surface uses the Ag plasma sintering, the preparation of a space charge limited schottky diode. The experimental data showed that the characteristics of IV at room temperature, the device in DC10 V when the rectification ratio is 370; the positive current and voltage is two times the power function relationship. With the space charge limited current and thermionic emission theory, the experimental results are analyzed, and the equivalent circuit model of the sample device.

Key words: metal/cubic boron nitride, rectifier, space charge limited current, equivalent circuit model

中图分类号:

TN31

侯国华, 姜麟麟. 立方氮化硼空间电荷限制肖特基二极管研究[J]. 吉林大学学报(信息科学版), 2014, 32(3): 284-287.

HOU Guohua, JIANG Linlin. SpaceChargeLimited Currents in c-BN Schottky Diodes[J]. Journal of Jilin University(Information Science Ed, 2014, 32(3): 284-287.

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