N离子注入非晶碳膜的CN成键研究

N离子注入非晶碳膜的CN成键研究

林景波¹, 李俊杰¹, 李哲奎¹, 顾广瑞¹, 盖同祥¹, 金〓哲¹胡超权², 吕宪义², 金曾孙²

1.延边大学理学院物理系, 吉林省延吉 133002 2.吉林大学超硬材料国家重点实验室, 长春 130012

收稿日期:2004-08-27 修回日期:1900-01-01 出版日期:2005-05-26 发布日期:2005-05-26
通讯作者: 李俊杰

Formation of CN Bonds in the Amorphous Carbon Film by N-Implantation

LIN Jing-bo, LI Jun-jie, LI Zhe-kui, GU Guang-rui, GAI Tong-xiang, JIN Zhe HU Chao-quan, L Xian-yi, JIN Zeng-sun

Department of Physics, College of Science and Engineering, Yanbian University, Yanji 133002, Jilin Province, China ; National Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, China

Received:2004-08-27 Revised:1900-01-01 Online:2005-05-26 Published:2005-05-26
Contact: LI Jun-jie

摘要/Abstract

摘要： 利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况. 结果表明, 被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合, 形成sp³C-N, sp² C-N 和C≡N键. 随着N离子注入剂量的增加, 膜内sp³ C-N键的含量相对增多, 表明N离子注入更有利于sp³ C-N键的形成.

关键词: N离子注入, 非晶碳膜, 磁控溅射, 键合结构

Abstract: N-implantation into amorphous carbon films with different doses was carried out to study the formation of CN bonding. Raman and XPS sp ectra were used to characterize the chemical bonding of CN bonds in amorphous carbon films after N-implantation. The results show that N atoms implanted into amorphous carbon films are bound to C atoms by different bonding types of sp³ C-N, sp² C-N and C≡N in the films. When N-implantation dose increases, the relative content of sp³ C-N bonds increases, which is more than those of other types of C-N bonds in the films. It indicates that N-implantation is favorable to the formation of sp³ C-N bonds.

Key words: N-implantation, amorphous carbon film, magnetron spu

中图分类号:

O484.5

林景波, 李俊杰, 李哲奎, 顾广瑞, 盖同祥, 金〓哲胡超权, 吕宪义, 金曾孙. N离子注入非晶碳膜的CN成键研究[J]. J4, 2005, 43(03): 324-327.

LIN Jing-bo, LI Jun-jie, LI Zhe-kui, GU Guang-rui, GAI Tong-xiang, JIN Zhe HU Chao-quan, L Xian-yi, JIN Zeng-sun. Formation of CN Bonds in the Amorphous Carbon Film by N-Implantation[J]. J4, 2005, 43(03): 324-327.

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