高压下WSe2的电学性质及金属化相变

J4 ›› 2011, Vol. 49 ›› Issue (05): 929-931.

高压下WSe₂的电学性质及金属化相变

刘鲍^1,2, 彭刚², 吴宝嘉³

1. 东北电力大学理学院, 吉林吉林 132012|2. 吉林大学超硬材料国家重点实验室, 长春 130012|3. 延边大学理学院, 吉林 |延吉 133002

收稿日期:2011-08-04 出版日期:2011-09-26 发布日期:2011-09-27
通讯作者: 刘鲍 E-mail:liubao08@mails.jlu.edu.cn

Electrical Properties and Metallization of WSe2 under High Pressure

LIU Bao^1,2, PENG Gang², WU Bao jia³

1. College of Science, Northeast Dianli University, Jilin 132012, Jilin Province, China|2. State Key Laboratory |of Super Hard Materials, Jilin University, Changchun 130012, China|3. College of Science, Yanbian University, Yanji 133002, Jilin Province, China

Received:2011-08-04 Online:2011-09-26 Published:2011-09-27
Contact: LIU Bao E-mail:liubao08@mails.jlu.edu.cn

摘要/Abstract

摘要：

利用高压原位电阻率测量技术, 观察0~48.2 GPa内WSe₂电阻率随压强的变化规律, 并测量了WSe₂电阻率在不同压强下随温度的变化关系. 结果表明: WSe₂电阻率在压力作用下的变化规律与杂质能级压致离化后的传导有关; 由于压致能隙闭合, WSe₂在38.1 GPa时发生等结构的半导体性到金属性的相转变.

关键词: 硒化钨, 高压, 电阻率, 金属化

Abstract:

The pressure dependence of electrical resistivity of WSe₂ was observed by means of in situ high pressure electrical resistivity measurement in a range of 0—48.2 GPa . The temperature dependence of the electrical resistivity of WSe₂ was measured under different pressures. The results show that the pressure response of the electrical resistivity of WSe₂ was associated with the conduction of pressure-|induced ionization of impurity levels; owing to the pressure induced band gap closure, WSe2 sample underwent an isostructural semiconductor\|metal phase transition at 38.1 GPa.

Key words: WSe₂, high pressure, electrical resistivity, metallization

中图分类号:

O521

刘鲍, 彭刚, 吴宝嘉. 高压下WSe₂的电学性质及金属化相变[J]. J4, 2011, 49(05): 929-931.

LIU Bao, BANG Gang, TUN Bao-Jia. Electrical Properties and Metallization of WSe2 under High Pressure[J]. J4, 2011, 49(05): 929-931.

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高压下WSe₂的电学性质及金属化相变

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