摘要:
基于Monte Carlo模型, 在理想基底上设置100×100的二维方形格, 利用周期性边界条件建立Cu薄膜初期生长模型, 并模拟粒子的气相沉积过程及迁移步数对薄膜生长的影响规律. 结果表明: 当沉积粒子数逐渐增加时, 基底表面的粒子团簇结构逐渐增大; 在温度不变的条件下, 随着最大迁移步数的增加, 团簇逐渐增大, 团簇数量逐渐减小, 且团簇分布逐渐稀疏; 温度升高使粒子聚集为岛状, 薄膜呈岛状生长.
中图分类号:
刘楠, 赵长春, 孙瑶, 王新, 李野, 端木庆铎. Cu薄膜生长初期的计算机模拟[J]. J4, 2013, 51(02): 301-304.
LIU Nan, DIAO Chang-Chun, SUN Yao, WANG Xin, LI Shu, DUAN Mu-Qiang-Duo-. Computer Simulation of the Early Growth of Cu Films[J]. J4, 2013, 51(02): 301-304.