刘岩1,2, 白晓2, 李婷婷2, 朱伟2, 沈启慧1
LIU Yan1,2, BAI Xiao2, LI Tingting2, ZHU Wei2, SHEN Qihui1
摘要:
以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层, ZnO作为电子传输层, 用Al和氧化铟锡(ITO)分别作为两极材料, 采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管, 并对其光学性质进行表征. 结果表明: 该器件发射黄光, 峰位为575 nm, 半峰宽30 nm, 最大发光强度2 000 cd/m2; 在较高的电流密度下, 该器件的电致发光效率无 明显衰减; 当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时, 可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.
中图分类号: