锗掺杂二氧化硅膜的紫外光致折变

doi:“973”国家重点基础研究发展规划项目（G20

吉林大学学报(工学版)

锗掺杂二氧化硅膜的紫外光致折变

张乐天¹，王健²,³，郑杰¹，李爱武¹，钱颖¹，郑伟¹，张玉书¹

1.吉林大学集成光电子学国家重点实验室，长春 130012； 2.吉林大学物理学院，长春 130023; 3.吉林大学学报(理学版)编辑部, 长春 130023

收稿日期:2005-03-18 修回日期:2005-07-14 出版日期:2005-09-01 发布日期:2005-09-01
通讯作者: 张乐天

UV Photoinduced Refractive Index Change in Gedoped Silica Film

ZHANG Le-tian¹, WANG Jian²,³, ZHENG Jie¹, LI Ai-wu¹, QIAN Ying¹, ZHENG Wei¹, ZHANG Yu-shu¹

1.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130012, China; 2.College of Physics, Jilin University, Changchun 130023, China

Received:2005-03-18 Revised:2005-07-14 Online:2005-09-01 Published:2005-09-01
Contact: ZHANG Le-tian

摘要/Abstract

摘要： 研究了用火焰水解法制备的掺锗二氧化硅膜在KrF紫外激光下曝光后的结构和光学性质的变化。经过10 min的照射后，在1550 nm处的折射率变化大约为3.41×10^-3。采用原子力显微镜分析了曝光过程及膜的表面形貌。结果表明：随着曝光时间的延长，膜的致密性增加，表面粗糙度下降，折射率增大。

关键词: 材料失效与保护, 锗硅, 火焰水解法, KrF激光, 折射率

Abstract: The influence of KrF excimer UV laser irradiation on the structural and optical properties of Gedoped flame hydrolysis deposited silica glass films was investigated. A maximum refractive index increase of about 3.41×10^-3was obtained at approximately 1550 nm wavelength after 10 min irradiation. The irradiation process and surface morphology of the films were analyzed by atomic force microscopy (AFM). Results show that with the increase of the irradiation time the density of the film increases while surface roughness decreases， and the refractive index increases.

Key words: material failure and protection, Gedoped silica, flame hydrolysis deposition, KrF excimer laser, refractive index

中图分类号:

张乐天，王健,，郑杰，李爱武，钱颖，郑伟，张玉书. 锗掺杂二氧化硅膜的紫外光致折变[J]. 吉林大学学报(工学版), 2005, 35(05): 547-0550.

ZHANG Le-tian, WANG Jian,, ZHENG Jie, LI Ai-wu, QIAN Ying, ZHENG Wei, ZHANG Yu-shu. UV Photoinduced Refractive Index Change in Gedoped Silica Film[J]. 吉林大学学报(工学版), 2005, 35(05): 547-0550.

参考文献

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