一种新的阶跃恢复二极管建模方法及其在短脉冲产生电路中的应用

吉林大学学报(工学版)

一种新的阶跃恢复二极管建模方法及其在短脉冲产生电路中的应用

周建明¹，高晓薇²，费元春¹

1.北京理工大学信息科学技术学院电子工程系，北京 100081; 2.华北电力大学，北京 102206

收稿日期:2006-04-18 修回日期:2006-09-23 出版日期:2007-01-01 发布日期:2007-01-01
通讯作者: 费元春

New modeling of SRD and its application in short pulse generation circuit

Zhou Jian-ming¹, Gao Xiao-wei², Fei Yuan-chun¹

1.Department of Electronic Engineering，School of Information Science and Technology,Beijing Institute of Technology, Beijing 100081，China; 2.North China Electric Power University, Beijing 102206, China

Received:2006-04-18 Revised:2006-09-23 Online:2007-01-01 Published:2007-01-01
Contact: Fei Yuan-chun

摘要/Abstract

摘要： 详细分析了阶跃恢复二极管（SRD）阶跃电压的产生过程和机理，提出了一种新的基于一个非线性电容和PN二极管并联的SRD模型。利用此模型对窄脉冲产生电路进行了仿真，分析了影响窄脉冲特性的主要因素，并从硬件上实现了窄脉冲仿真电路。经试验测试，脉冲宽度为230 ps、幅度为3.3 V时与仿真结果较吻合,验证了该模型的正确性。

关键词: 半导体技术, 窄脉冲, 阶跃恢复二极管, 建模

Abstract: The step voltage generation process and mechanism in the step recovery diode(SRD) were analyzed and a new SRD model was proposed based on the parallel connection of a nonlinear capacitance and a PN diode. A short pulse generation circuit was simulated by the proposed model, the major parameters affecting the short pulse characteristics were studied, and the hardware of the circuit was realized. The measured pulse width was 230 ps and the measured pulse voltage was 3.3 V, both were in good agreement with the simulated results, thus verified the proposed model.

Key words: semiconductor, short pulse, step recovery diode (SRD), modeling

中图分类号:

TN784.1

周建明，高晓薇，费元春 . 一种新的阶跃恢复二极管建模方法及其在短脉冲产生电路中的应用[J]. 吉林大学学报(工学版), 2007, 37(01): 173-176.

Zhou Jian-ming, Gao Xiao-wei, Fei Yuan-chun . New modeling of SRD and its application in short pulse generation circuit[J]. 吉林大学学报(工学版), 2007, 37(01): 173-176.

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