基于0.13 μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导

吉林大学学报(工学版)

基于0.13 μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导

杨志民1，马义德2，马永杰1,3，摆玉龙1，杨鸿武1

1.西北师范大学物理与电子工程学院，兰州 730070；2.兰州大学信息科学与工程学院,兰州 730070;3.兰州交通大学机电技术研究所,兰州 730070

收稿日期:2007-07-09 修回日期:2007-12-03 出版日期:2009-01-01 发布日期:2009-01-01
通讯作者: 杨志民

Output conductance of 0.13 μm MOSFET

YANG Zhi-min1,MA Yi-de2,MA Yong-jie1,3，BAI Yu-long1，YANG Hong-wu1

1.College of Physics and Electronic Engineering,Northwest Normal University,Lanzhou 730070,China;2.College of Information Science and Engineering,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;3.Institute of Mechatronics and Electronic Technology,Lanzhou Jiaotong University,Lanzhou 730070,China

Received:2007-07-09 Revised:2007-12-03 Online:2009-01-01 Published:2009-01-01
Contact: YANG Zhi-min

摘要/Abstract

摘要： 对采用0.13 μm工艺(p13) 低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究，给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好，证明了设计公式的有效性。

关键词: 半导体技术, 集成电路, 0.13μm工艺, CMOS场效应管, 输出电导

Abstract: The output, gd, of MOSFET in CMOS 0.13 μm technology and working in very low voltage was investigated, and design formulas were given. Based on the investigation results, a twostage opamp was designed and simulation was carried out. Simulation results are in good agreement with designing results, which validate the design formulas.

Key words: semiconductor, very large integated circuit (VLIC), 0.13 μm technology, MOSFET, output conductance

中图分类号:

TN43

杨志民，马义德，马永杰,3，摆玉龙，杨鸿武 . 基于0.13 μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导[J]. 吉林大学学报(工学版), 2009, 39(01): 229-233.

YANG Zhi-min1,MA Yi-de2,MA Yong-jie1,3，BAI Yu-long1，YANG Hong-wu1 . Output conductance of 0.13 μm MOSFET[J]. 吉林大学学报(工学版), 2009, 39(01): 229-233.

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