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元素掺杂及分子吸附对B4C3电子性质的影响
李萱, 邵立, 门彩瑞, 何渊淘, 李艳
吉林大学学报(理学版). 2026 (1):
158-0165.
摘要
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研究S,N,P,Si 4种原子掺杂和NO,NO2,NH3,CO,CO2,SO2,H2S 7种小分子吸附对B4C3二维材料几何结构和电子性质的影响. 结果表明, 与本征B4C3材料2.020 eV带隙相比, 掺杂和小分子吸附体系的禁带宽度均减小. 其中, N掺杂体系的带隙值在4种体系中最小, 因此掺杂N原子对B4C3的电子性质影响最明显. NO2吸附后B4C3由半导体变为金属, 表明B4C3可有效检测NO2气体.
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