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几种元素掺杂二维MgCl2单层的第一性原理计算
门彩瑞, 邵立, 何渊淘, 李艳, 耶红刚
吉林大学学报(理学版). 2024 (2):
437-0443.
摘要
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对H,F,Al,K,Zn掺杂二维MgCl2单层材料的几何结构和电子性质进行研究. 结果表明: 几种掺杂体系的晶体结构均有不同程度变化; 由于H,Al,Zn的s态电子影响, 这3种元素掺杂的MgCl2在禁带中明显出现杂质能级, F和K掺杂体系的杂质能级出现在价带顶, 与本征MgCl2材料的5.996 eV带隙相比, H,F,Al,K,Zn掺杂体系的禁带宽度分别减小至5.665,5.903,4.409,5.802,5.199 eV; 5种掺杂体系杂质原子周围的电荷均重新分布; 电荷转移情况与差分电荷密度结果一致; 与本征MgCl2的功函数8.250 eV相比, H,F,Al,K,Zn掺杂体系的功函数分别减小至7.629,7.990,3.597,7.685,7.784 eV.
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